線陣CCD的種類很多，分類方法也很多。不同類型的線陣CCD具有不同特點(diǎn)，適于不同的應(yīng)用。下面以TCD1206UD為例進(jìn)行介紹。 TCD1206UD為典例的二相線CCD，這里就其基本結(jié)構(gòu)、工作原理作一介紹。

基本結(jié)構(gòu)

  圖12-12所示為TCD1206UD的基本結(jié)構(gòu)原理圖。它由2236個(gè)PN結(jié)光電二極管構(gòu)成光敏元陣列。其中前64個(gè)和后12個(gè)是用作暗電流檢測(cè)而被遮蔽的，圖中用符號(hào)Dn表示在檢測(cè)輸出時(shí)要濾掉的信號(hào)；中間的2160個(gè)光電二極管是曝光像敏單元，圖中用Sn表示。每個(gè)光敏單元的尺寸為14μm長(zhǎng)、14μm高，中心距亦為14μm。光敏元件陣列總長(zhǎng)為30.24mm，光敏元的兩側(cè)是用作存儲(chǔ)光生電荷的MOS電容陣列（圖中存儲(chǔ)柵）。MOS電容陣列兩側(cè)是轉(zhuǎn)移柵電極SH，在它的兩側(cè)為CCD模擬移位寄存器，其輸出部分由信號(hào)輸出單元和補(bǔ)償輸出單元構(gòu)成。

工作原理

TC1206UD在如圖12-13所示的驅(qū)動(dòng)脈沖作用下工作。當(dāng)脈沖高電平到來(lái)時(shí)，正值φ1電極下均形成深阱，同時(shí)的高電平使電極下的深勢(shì)阱與MOS電容存儲(chǔ)勢(shì)阱溝通。如圖12-14所示，MOS電容中的信號(hào)電荷包通過(guò)轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移到模擬移位寄存器的φ1極下的勢(shì)阱隔離開(kāi)。存儲(chǔ)柵勢(shì)阱進(jìn)入光積分狀態(tài)，而模擬移位寄存器將在φ1與φ2脈沖的作用下驅(qū)使轉(zhuǎn)移到φ1電極下勢(shì)阱中的信號(hào)電荷向左轉(zhuǎn)移，并經(jīng)輸出電路由OS電極輸出。

由于結(jié)構(gòu)上的安排，OS端首先輸出13個(gè)虛設(shè)單元信號(hào)，再輸出51個(gè)暗信號(hào)，然后連續(xù)輸出S₁到S₂₁₆₀的有效像素單元信號(hào)，第S₂₁₆₀信號(hào)輸出后，又輸出9個(gè)暗信號(hào)，再輸出2個(gè)奇偶檢測(cè)信號(hào)，以后便是空驅(qū)動(dòng)?？镇?qū)動(dòng)數(shù)目可以是任意的。由于該器件是兩列并行分奇偶傳輸?shù)?。所以在一個(gè)φ_SH 周期中至少要有1118個(gè)脈沖φ1，即T_SH>1118T₁ 圖12-16中的   φ_K為復(fù)位級(jí)的復(fù)位脈沖，復(fù)位一次輸出一個(gè)信號(hào)。